| BZT52C10S 名前 | ツェナー ダイオード |
|---|---|
| BZT52C10S パッケージタイプ | SOD-323 |
| BZT52C10S 電力消耗 | 200mw |
| BZT52C10S Vz (名) | 10V |
| VZ (分) | 9.5V |
| 記述 | サーイストル・オーバージェス抑制器 (TSS) |
|---|---|
| C0@1MHz,2Vバイアス | 50pF タイプ |
| 波長評価 | 3/4KV ((10/700μs) |
| VS@100V/μS | 最大260V |
| 製品名 | サーイストル・オーバージェス抑制器 (TSS) |
| キーワード | ディオード保護 |
|---|---|
| サイズ | R6/P600 |
| マウントタイプ | THT |
| ロープ | 78V |
| Vbr@It (ミニ) | 87.1V |
| 他の名前 | パッシブダイオード |
|---|---|
| 足跡 | R6/P600 |
| ロープ | 45V |
| Vbr@It (ミニ) | 50.3V |
| それは | 5mA |
| 構成要素 | サーイストールの電波抑制器 |
|---|---|
| パッケージのサイズ | DO-214AC/SMA |
| 最大漏れ電流 | 5μA未満 |
| 記述 | サーイストル・オーバージェス抑制器 (TSS) |
| TSS名 | サーイストル・オーバージェス抑制器 (TSS) |
| 製品名 | TVSダイオード |
|---|---|
| パッケージの種類 | DO-214AA/SMB |
| ロープ | 250V |
| Vbr@It (ミニ) | 279V |
| Vbr@It (最大) | 309V |
| BZT52C8V2 名前 | ツェナー ダイオード |
|---|---|
| BZT52C8V2 パッケージタイプ | SOD-123 |
| BZT52C8V2 パワー消耗 | 350mW |
| BZT52C8V2 電圧 (Nom.) | 8.2V |
| BZT52C8V2 電圧 (分) | 7.79V |
| 最大漏れ電流 | 5μA未満 |
|---|---|
| 記述 | サーイストル・オーバージェス抑制器 (TSS) |
| 構成要素 | サーイストールの電波抑制器 |
| ポイント | TSSダイオード |
| パッケージのサイズ | DO-214AC/SMA |
| 製品名 | TVSダイオード |
|---|---|
| パッケージの種類 | DO-214AA/SMB |
| ロープ | 28V |
| Vbr@It (ミニ) | 31.1V |
| Vbr@It (最大) | 34.4V |
| SMBJ15CA 名前 | TVSダイオード |
|---|---|
| SMBJ15CA パッケージタイプ | DO-214AA/SMB |
| SMBJ15CA Vrwm | 15V |
| SMBJ15CA Vbr@It (分) | 16.7V |
| SMBJ15CA Vbr@It (最大) | 18.5V |
